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TSV半导体封装技术
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发布时间: 2024-07-24 09:08:53 剩余时间: 66天
需求编号
5896641792181248
发布者
昆山云孵信息科技有限公司
需求状态
发布中
意向投入
¥2,000,000
联系方式
187xxxx5121 【点击查看】
佣金金额
面议



此技术应用场景技术要求如下:
一、通孔尺寸与精度
直径:TSV的直径通常在1μm到50μm之间,。
深度:深度范围在10μm到250μm之间
深宽比(Aspect Ratio):TSV技术要求较高的深宽比,通常在3到5之间。
垂直度与侧壁粗糙度:垂直度需高,侧壁应光滑,以减少信号传输损耗和提高可靠性。具要求侧壁粗糙度控制在纳米级别。
二、绝缘层与阻挡层性能
绝缘层厚度:绝缘层的厚度要求均匀且稳定,以保证电气隔离效果。
阻挡层厚度:阻挡层用于防止金属填充物向绝缘层扩散,其厚度需适中,有效阻挡扩散又要避免增加过多电阻。
三、金属填充质量
填充率:要求无孔隙或孔隙率极低,以确保信号传输的完整性和可靠性。
导电性与热导性:填充铜需具备良好的导电性和热导性,以满足高速信号传输和有效热管理的需求。
技术领域
先进制造工艺与装备,先进制造与自动化,大规模集成电路制造相关技术
需求类型
关键技术研发
有效期至
2025-04-23
合作方式
合作开发
需求来源
所在地区
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