双方均涉及芯片封装基板的介电材料优化与精密线路加工。用户需求中高频信号损耗（Df≤0.002）与该需求的介电薄膜材料结合力、信号损耗指标（≤1.0dB/inch@10GHz）直接关联；线宽精度（≤3μm）与该需求的L/S10±2μm工艺要求高度匹配。

双方均聚焦先进封装工艺中的TSV通孔与微凸点技术。用户需求TSV填充空洞率≤1%与该需求的TSV、微凸点制作工艺参数高度相关；微凸点间距≤50μm与该需求的SiP/WLP封装技术要求一致。

双方均涉及TSV工艺参数优化与可靠性提升。用户需求TSV填充空洞率≤1%与该需求的LPCVD沉积速率波动控制、抗突波能力指标（≥12A@8/20μs）直接关联，且均关注高温工作稳定性。

双方均涉及精密加工与材料翘曲控制。用户需求无芯板翘曲度≤50μm与该需求的基板翘曲率（≤0.08mm/100mm）技术目标相似，且均关注热应力对结构的影响。